摘要
铱192γ源采用0.2—0.3mm厚的高纯金属铱片做为靶材料,经高通量反应堆的热中子辐照后,按^191Ir(nr)^192Ir核反应生成高比活度铱192,然后将一定数量的放射性铱片分装在单层不锈钢包壳内,氩弧焊密封,即成无损检测用铱192γ源。采用电离室测量装置测出源在一定距离处的照射量率,然后计算出源的等效活度。不确定度好于±7%;源的泄漏和表面放射污染采用浸泡法和单道1谱仪检测;源的安全性能等级按GB4075的规定检验;铱192所含γ放射性杂质采用半导体探测器多道γ谱仪检验。
出处
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期51-51,共1页
Aerospace Materials & Technology