期刊文献+

SOI CMOS器件及其应用 被引量:1

SOI CMOS Device and Its Application
下载PDF
导出
摘要 介绍SOI技术及其形成方法。介绍SOICMOS器件的优点、全耗尽(FD)SOICMOS器件的特点及其应用。 The SOI technology and its formative method are introduced. The merits of the SOI CMOS device, the characteristics of the fully depleted (FD) SOI CMOS device and its application are also introduced.
作者 翁寿松
出处 《电子元器件应用》 2005年第4期52-54,共3页 Electronic Component & Device Applications
关键词 SOI技术 SOI CMOS器件 薄膜SOI CMOS器件 应用 SOI technology SOI CMOS device thin film SOI CMOS device application
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献15

  • 1翁寿松.SOI技术步入实用化[J].电子与封装,2003,3(2):7-11. 被引量:7
  • 2..www.simgui.com.cn,.
  • 3张国勇,光斯帝、胡百安.集成电路的尺寸小型化趋势争论纷起[J].国际电子商情,2002,(7):56.
  • 4胡倩.世界SOI圆片市场[J].半导体信息,2002,(1):27.
  • 5Christina Nickolas,适合应用于制造高压、高温器件的1.0mmSOI工艺[J].今日电子,2002,(1):5.
  • 6COLINGE J.P.Silicon on Insulator Technology: Materials to VLSI, 2^nd Edition[M], Kluwer Academic Publishers 2000.
  • 7LILIENFIELD J E.[P] US Patents, l,745,175 (filed 1926, issued 1930);1.900.018 (filed 1928, issued1933).
  • 8International Technology Roadmap for Semiconductors (2001), www.public.itrs.net.
  • 9IZUMI K, DOKEN M,ARIYOCHI H.Electron Letts(1978) 593.
  • 10M Bruel, Electron Letts.,1995,31(14):1201.

共引文献14

同被引文献6

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部