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全自动分子束外延装置
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摘要
前言随着信息社会的高度发展,对半导体器件已有了更高的要求。提高半导体器件性能的方向之一,是以超LSI为代表的微细化以及高密度化,另一个方向是新型半导体材料的开发。如用GaAs制成各种器件。这类器件不仅包括集成电路,而且还有Si材料很难制成的半导体激光器件等光电子器件。
作者
蒲原秀明
高桥主人
田村直行
村松公夫
白木靖宽
物集照夫
柴田史雄
赵秀英
出处
《微细加工技术》
1989年第1期47-52,共6页
Microfabrication Technology
关键词
全自动
分子束外延
装置
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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1
黄绮.
分子束外延及其应用[J]
.物理教学,1999,21(12):2-4.
2
第八届全国分子束外延学术会议征文通知[J]
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3
相崎尚昭,吴明华.
分子束外延装置[J]
.微细加工技术,1990(1):56-62.
微细加工技术
1989年 第1期
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