高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管被引量：1

A Novel High-Temperature AlGaInP/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor

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摘要利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理. A novel AlGaInP/GaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) is designed and fabricated for power amplifiers.DC characteristics of AlGaInP/GaAs DHBT are studied.We also investigate the difference of DC characteristics between high-temperature DHBT and conventional DHBT.In addition,several electrical factors affecting high-temperature characteristics are discussed in detail.

作者刘文超夏冠群李冰寒黄文奎

机构地区中国科学院上海微系统与信息技术研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期756-759,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金(批准号:69576035) 上海应用材料研究与发展基金资助项目~~

关键词 AlGaInP/GaAs 双异质结双极晶体管 Mo/W/Ti/Au 直流特性 AlGaInP/GaAs double heterojunction bipolar transistors Mo/W/Ti/Au DC characteristics

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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