摘要
本文利用元胞自动机的方法建立电子抗蚀剂显影模型,阐述了用该模型确立电子抗蚀剂显影后轮廓的方法,在结合相应的能量沉积模型和显影速率模型后,给出了电子抗蚀剂最终显影轮廓的模拟结果,并用ZEP520电子抗蚀剂进行实验验证。
An electron beam resist development model based on the Cellular Automata is proposed, The method of predicting the resist profile after development is described, The simulation results show perfectly agreement with the experiments of electron beam resist ZEP520.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2005年第3期277-280,共4页
Microelectronics & Computer
基金
国家自然基金资助项目(60276019)