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剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用 被引量:1

Application of Stripping Technique to GaN-based UV Image Sensor
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摘要 采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。 By using the stripping technique, the flip-chip bonding between GaN ultraviolet (UV) detectors and Si readout integrated circuits is realized to improve the electrical characteristics of GaN-based UV image sensors. The theory, result analysis and applications of stripping technique are introduced.
出处 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期115-117,共3页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 ALGAN 剥离技术 紫外探测器 AlGaN stripping technique ultraviolet detector s
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Xu G Y, Salvador Kim W. High speed, 10 W noise ultraviolet photodetectors based on GaN p-i-n and AlGaN(p)-GaN(i)-GaN (n) structures [J]. Appl.Phys. Lett. ,1997,71(15):2154-2156.
  • 2叶嗣荣.微细光刻用的光致抗蚀剂及其在BCCD器件中的应用.集成电路通讯,1991,30(1):39-45.

同被引文献1

  • 1Xu G Y. High speed, 10 W noise ecltraviolet photodetectors based on GaN p-i-n and Al GaN(p)-GaN(i)-GaN (n) structures [J]. Appl. Phys. Lett. , 1997,71 (15) : 2154-2156.

引证文献1

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