热压烧结工艺制备Si/SiC陶瓷的研究被引量：3

Research on Fabrication of Silicon Carbide Ceramic by Hot-pressing

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摘要 αSiC粉末为原料,Si为助烧剂,采用适当的热压烧结工艺,在1800℃,25MPa条件下获得了致密的SiC块体陶瓷,其抗弯强度为253MPa。 Si/SiC ceramics was prepared by hot -pressing sinter technology in the following conditions, 1800℃, 5MPa.The density of the prepared materials was up to 2.968g/cm 3, and the flexural strength 253MPa.

作者曹建明唐汉玲李龙邹继兆曾燮榕

机构地区深圳大学西北工业大学材料学院

出处《广东化工》 CAS 2005年第3期10-11,共2页 Guangdong Chemical Industry

关键词热压烧结工艺 SIC陶瓷制备 SiC粉末抗弯强度助烧剂致密 silicon carbide hot-pressing flexural strength

分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]

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