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ULSI用193nm光刻胶的研究进展 被引量：9

Progress of 193 nm Photoresist for ULSI Supporting Materials
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摘要 从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。 This paper describes the evolution and status of the 193 nm photoresists in aspects of matrix resins,photo-acid generator,dissolution inhibitor,base additives,existing problems and ways of solutions.
作者 郑金红 黄志齐 文武
机构地区 北京化学试剂研究所有机室
出处 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期348-353,共6页 Fine Chemicals
基金 国家 863计划项目(2002AA3Z1330)~~
关键词 193nm 光刻胶 主体树脂 光致产酸剂 酸敏基团 溶解抑制剂 碱性添加剂 nm photoresist matrix resin photo-acid generator acid-labile group dissolution inhibitor base additives
分类号 O64 [理学—物理化学]
  • 相关文献

参考文献39

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共引文献1

同被引文献243

引证文献9

二级引证文献64

精细化工
2005年 第5期

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