InGaZnO透明半导体

东京理工大学的研究人员用铟．镓．氧化锌混合物制成一种透明半导体材料，该材料是在塑料衬底上沉积的，用这种透明半导体制成晶体管，其性能可望比塑料晶体管高三个数量级。这种材料易于制造、潜在的低成本并适合于制造大面积电子器件，如大的显示装置，它可在室温下，于塑料片上以非常薄的涂层应用。其制造过程也是环境友好的。这种半导体有柔性、抗撞击因而可用于“柔性”显示(板)、电子纸和可卷曲的计算机。