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一种基于HP EESOF软件的IMPATT二极管非线性电路模型参数的提取方法 被引量：1

A Extraction Method of Nonlinear Circuit Model Parameters of IMPATT Diodes Based on HP EESOF Software
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摘要 通过对雪崩二极管非线性电路模型参数数学表达式的分析,利用HPEESOF软件进行电路模型的计算机模拟,计算出雪崩管在非线性状态下的器件阻抗,从而为雪崩管振荡器的设计提供了重要的理论依据。 Based on the mathematical expressions of nonlinear circuit model parameters of IMPATT diodes, with the help of HP EESOF software, the impedance of a IMPATT diode at the nonlinear condition is simulated and calculated. Which provides the important theoretical basis for the design of IMPATT diode oscillator.
作者 陈会 黄建
机构地区 四川大学电子信息学院 中国电子集团电子十所
出处 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第2期52-55,共4页 Journal of Microwaves
关键词 非线性电路 模型参数 EESOF 提取方法 软件 HP 数学表达式 雪崩二极管 计算机模拟 非线性状态 电路模型 雪崩管 振荡器 阻抗 器件 IMPATT diodes, Nonlinear devices, Equivalent circuit models, HP EESOF
分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1Joel W Gannett, Leon O Chua. A nonlinear circuit model for IMPATT diodes. IEEE Trans on circuit and systems,1978,25 (5) :299 ～ 308.
  • 2Bevan D Bates. A comparison of IMPATT oscillator power and frequency above 100 GHz with results derived from theoretical models. IEEE Trans on MTT, 1984,32(10):1394 ～ 1398.
  • 3Ray U C,et al. A practical approach to the design of a W-band impatt oscillator. Microwave Journal, 1989, 28(11) :157 ～ 162.
  • 4Christophe Dalle, et al. Flat doping profile double-drift silicon Impatt for reliable CW high-power high-efficiency generation in the 94-GHz window. IEEE Trans on MTT,1990,37(1) :227 ～ 236.
  • 5Stephen A Maas. Nonlinear microwave circuits. USA:IEEE press, 1997.

同被引文献2

  • 1Ray U C, etal. A Practical Approach to the Design of a W-Band Impatt Oscillator[J]. Microwave Journal, 1989 (11):157-162.
  • 2Smith D C, Smmons T J. Fully Integrated W-Band Microstrip Oscillator [J].Electronics Letters 17^th March, 1983, 19:222-223.

引证文献1

微波学报
2005年 第2期

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