期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

EDN 2004年度技术创新奖

原文传递

导出

摘要模拟集成电路；专用标准产品(ASSP)／片上系统(SoC)；通信和网络集成电路；数字集成电路；EDA；嵌入式系统；IP核；无源器件／传感器；电源集成电路；电源；处理器；

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2005年第5期40-40,42,44,共3页 EDN CHINA

关键词 2004年技术创新模拟集成电路 SI4300 CMOS功放芯片制造工艺

分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1单片CMOS功率放大器Si4300[J].国外电子元器件,2004(7):63-63.
2联想采用Silicon Labs Si4300功率放大器[J].电子测试（新电子）,2005(11):114-114.
3刘洋.CMOS功放欲颠覆传统技术[J].电子设计技术 EDN CHINA,2008(12):36-36.
4Silicon Laboratories推出业界第一颗单片CMOS功率放大器[J].中国无线通信,2004,10(2):40-40.
5针对GSM/GPRS市场的单片CMOS功率放大器[J].世界电子元器件,2004(3):82-82.
6Si4300：功率放大器[J].世界电子元器件,2004(3):13-13.
7CMOS功放[J].通讯世界,2008(11):93-93.
8Si4300：单芯片CMOS功率放大器[J].电子产品世界,2005,12(03A).
9黄秀玲.Silicon Labs突破技术瓶颈推出单片CMOS功率放大器[J].电子测试（新电子）,2004(3):44-45.
10SILICON LABS出击功放市场[J].今日电子,2004(3):71-71.

电子设计技术 EDN CHINA

2005年第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部