期刊文献+

TiO_2薄膜结构及氧敏性研究 被引量:3

Study on TiO_2 Oxygen Sensitive Thin Films
下载PDF
导出
摘要 利用溶胶-凝胶技术制备了TiO2氧敏薄膜,通过氧化物掺杂和贵金属的表面修饰,在空气气氛下烧结氧敏薄膜.结果表明:600℃~800℃下处理的薄膜是以金红石为主晶相及少量锐钛矿的混合晶型,随着温度升高锐钛矿减少,900℃时锐钛矿相的峰基本消失;800℃下处理的薄膜灵敏度明显高于600℃和900℃下处理的薄膜灵敏度.W,Ce氧化物掺杂促进TiO2薄膜微量氧化还原,增加催化反应活性,使薄膜的氧气灵敏度有明显提高;以Pd对W-TiO2薄膜进行表面修饰,使薄膜的阻温特性得到了明显提高. This paper dealt with the preparation of the oxide-doped TiO2 thin films and the Pd-modified TiO2 thin films by using the sol-gel method. The oxide sensitive film was sintered in air. The main crystalline phase of the TiO2 films sintered at 600 degrees C similar to 800 degrees C is rutile, together with some anatase which decreases when temperature goes up and even disappeares at 900 degrees C. The oxygen sensitivity of the film sintered at 800 degrees C is obviously higher than that of the film sitered at 600 degrees C and 900 degrees C. The oxygen sensitivity is obviously enhanced because the complex crystalline phase and the doping of W, Ce oxides accelerates the micro oxidation-reduction reaction of the film, and the resistance-temperature characteristics, especially the response speed, are evidently improved by means of the surface modification with the noble metal Pd.
机构地区 天津大学
出处 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期709-712,共4页 Rare Metal Materials and Engineering
基金 国家自然科学基金资助项目(50072014)
关键词 TIO2 氧化物掺杂 Pd修饰 微量氧化还原 氧敏性 阻温特性 TiO2 metal oxides doped Pd modified micro oxidation-reduction oxygen sensitivity resistence-temperature characteristics
  • 相关文献

参考文献8

  • 1郑嘹赢,徐明霞,徐廷献.掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能[J].Journal of Semiconductors,1999,20(11):1022-1025. 被引量:13
  • 2丁爱军,徐毓龙.Pt/TiO_2厚膜氧敏元件研究[J].电子元件与材料,1994,13(2):43-45. 被引量:4
  • 3Takeuchi T, Igarashi I. Oxide Semiconductor Oxygen Sensors[J]. Automobile Technology, 1983, 37 (11): 1 211~1 216
  • 4Kodon H, Saji K, Takahash H et al. Thin Film Air-Fuel Sensor[J]. Sensors and Actuators BI, 1993, 13~14:49~52
  • 5谢少桥.宽工作温度范围A/F控制用TiO2薄膜型氧传感器的研究[M].Tianjin: Tianjin University Press,1999..
  • 6Zheng Liaoying, Xu Mingxia, Xu Tingxian. TiO2-x Thin Film as Oxygen Sensor[J]. Sensors and Actuators B, 2000, 66:28~30
  • 7清山哲郎.金属氧化物及其催化作用[M].Beijing: China Science and Technology Press,1989:8..
  • 8杜海燕 徐明霞 徐廷献.Foemation and Growing of TiO2 Nanometer Thin Film on Al2O3 Substrate[J].稀有金属材料与工程,2002,31(1):349-352.

二级参考文献9

  • 1姚红军,汪荣昌,戎瑞芬,徐飞,金海岩.TiO_2薄膜氧敏特性研究[J].半导体技术,1997,13(1):50-53. 被引量:6
  • 2彭军,刘笃仁.Ti-Nb系复合氧化物的氧敏特性[J].材料研究学报,1997,11(1):110-112. 被引量:3
  • 3郑嗪赢.天津大学硕士论文[M].,1998.25-32.
  • 4E.H.罗德里克.金属与半导体接触[M].北京:科学出版社,1984..
  • 5邹志刚.-[J].仪表材料,1987,18(2):91-96.
  • 6彭军 等.-[J].材料研究学报,1997,11(1):110-112.
  • 7郑嘹赢,硕士学位论文,1998年
  • 8邹志刚,仪表材料,1987年,18卷,2期,91页
  • 9罗德里克 E H,金属与半导体接触,1984年

共引文献14

同被引文献28

引证文献3

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部