Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究

用芦瑟夫背散射（ＲＢＳ）和光致发光（ＰＬ）研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性质。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。