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A New Low Voltage RF CMOS Mixer Design

一种新的射频CMOS混频器结构(英文)
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摘要 A new architecture of CMOS low voltage downconve rsion mixer is presented.With 1.452GHz LO input and 1.45GHz RF input,simulation results show that the conversion gain is 15dB,IIP3 is -4.5dBm,NF is 17dB,the maximum transient power dissipation is 9.3mW,and DC power dissipation is 9.2mW.The mixer’s noise and linearity analyses are also presented. 提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构.这个结构避免了堆叠晶体管,因此可以在低电压下工作.在LO 信号的频率为1 .452GHz, RF 信号频率为1 .45GHz 的情况下,仿真结果表明:混频器的增益为15dB,IIP3为-4 .5dBm,NF为17dB,最大瞬态功耗为9. 3mW,直流功耗为9. 2mW.并对该混频器的噪声特性和线性度进行了分析.
作者 刘璐 王志华
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期877-880,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金(批准号:60475018,60372021) 国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036508)资助项目~~
关键词 downconversion mixer CMOS process noise and linearity analysis 下变频混频器 CMOS工艺 噪声和线性度分析
  • 相关文献

参考文献6

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