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锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量 被引量:1

Measurement of Ge-APD Quick Optical Pulse Response Time
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摘要 基于P+n平面结构Ge APD的工作原理,介绍了采用Ge APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge APD对快速光脉冲响应时间的方法。 The operational principle of Ge-APD was introduced. The measurement of Ge-APD quick optical-electric transducer, micro band circuit and sampling technique were presented.
出处 《实验室研究与探索》 CAS 2005年第5期20-22,89,共4页 Research and Exploration In Laboratory
关键词 锗-雪崩光电二极管 微带电路 取样 响应时间 Ge-APD micro band circuit sample response time
  • 相关文献

参考文献2

  • 1刘文生 李锦林.取样技术原理和应用[M].北京:科学出版社,1981..
  • 2清华大学.微带电路[M].北京:人民邮电出版社,1976..

共引文献7

同被引文献6

引证文献1

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