期刊文献+

对可控硅调压整流电路若干问题的分析

Analysis to Some Problems in the Silicon-controlled Voltage Regulating Rectifier Circuit
原文传递
导出
摘要 本文比较了两种可控硅整流电路,在这两种电路中把反并联可控硅接入阳极变压器。文章介绍了电路的过压和过流的保护方法并给出了电路的计算公式和经验数据。 This paper compares two silicon-controlled rectifier circuits. An inverse parallelcontrolled silicon is connected with the anode transformer in these circuits. The protective methods of the over voltage and over current of the circuit areintroduced and some calculated formulae and experimental data for the rectifier areprovided.
作者 朱厚荣
出处 《武汉测绘科技大学学报》 CSCD 1989年第2期75-81,共7页 Geomatics and Information Science of Wuhan University
关键词 可探硅 整流 电路 反并联 同步 silicon-controlled rectifier inverse parallel synchronism
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部