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三星计划今秋量产8Gb NAND型Flash

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摘要 日本产业经济新闻日前引述国外媒体报导指出,NAND型Flash大厂韩国三星电子半导体事业相关人员日前指出,在工艺技术持续不断提升及各厂积极扩增产能的带动下,未来NAND型Flash价格将呈现持续下滑的状况,而且每年价格跌幅度恐将挑战40%。三星电子除了注意价格效应外,同时还计划将于2005年秋季前量产8Gb NAND型Flash,期望以更佳的技术降低生产成本,快速拉大与市场竞争者的距离,续保竞争力。
出处 《电子测试(新电子)》 2005年第6期2-3,共2页 Micro-Electronics
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