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GaN材料湿法刻蚀的研究与进展 被引量:2

Research and Progress of Wet Etching for GaN
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摘要 回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。 The progress of wet etching for GaN is reviewed. We have discussed the mechanism of photo-assisted chemical wet etching,the difficulty of p-GaN wet etching and the application of wet etching in the research of GaN.
作者 黄生荣 陈朝
机构地区 厦门大学物理系
出处 《微纳电子技术》 CAS 2005年第6期272-276,共5页 Micronanoelectronic Technology
基金 国家自然科学基金资助项目(60476022)
关键词 氮化镓 湿法刻蚀 光辅助 GaN wet etching photo-assisted
  • 相关文献

参考文献30

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二级参考文献2

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共引文献86

同被引文献1

引证文献2

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