摘要
回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。
The progress of wet etching for GaN is reviewed. We have discussed the mechanism of photo-assisted chemical wet etching,the difficulty of p-GaN wet etching and the application of wet etching in the research of GaN.
出处
《微纳电子技术》
CAS
2005年第6期272-276,共5页
Micronanoelectronic Technology
基金
国家自然科学基金资助项目(60476022)