ST与Hynix在无锡合建DRAM和NAND生产线

Joint-venture memory fab by ST and Hynix broke groud in Wuxi

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摘要日前,意法半导体(ST)与海力士半导体(Hynix)在无锡的存储器芯片前端制造合资工厂破土动工,项目计划总投资20亿美元.该工厂将拥有8英寸和12英寸两条生产线,主要提供DRAM内存和NAND闪存产品.首批DRAM和NAND产品的容量分别为512Mb和4Gb～8Gb,2007年将能够供应1Gb的DRAM和8Gb～16Gb的NAND产品.

作者王小庆

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2005年第6期108-108,共1页 EDN CHINA

关键词 NAND DRAM 生产线 HYNIX 无锡 ST 存储器芯片意法半导体 512Mb 2007年项目计划闪存产品总投资 4Gb 工厂内存

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP334.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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