高温退火

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摘要 SY508-3-59[篇名]A Self-Aligned, Electrically Separable Double-Gate MOS Transistor Technology for Dynamic Threshold Voltage Application，SY508-3-60[篇名]Anomalous phosphorous diffusion，……

出处《热处理工艺与设备：英文版》 2005年第3期13-15,共3页

关键词高温退火极限压力电子自排列 MOS转换器化学真空沉积

分类号 TG156.2 [金属学及工艺—热处理]

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