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深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 被引量:5

Compensation Characteristics of Deep Energy Level Impurity Zn to n-Type Silicon
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摘要 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关. In order to obtain mono-crystal silicon thermistor material having high B-value,deep energy level impurity Zn is doped into n-type silicon using a high temperature gas phase diffusion method.Highly compensated silicon material is obtained.The characteristics of the material are measured and analyzed.It is shown that the compensated silicon material has thermally sensitive characteristics.The B-constant of the material is about 6300K and the resistance-temperature relationship of the material depends on the compensation degree of impurities.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1140-1143,共4页 半导体学报(英文版)
基金 中国科学院"西部之光"资助项目~~
关键词 深能级杂质 费米能级 多数载流子 补偿度 deep energy level impurity Fermi level majority carrier degree of compensation
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参考文献10

二级参考文献16

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共引文献32

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引证文献5

二级引证文献5

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