正电子湮没技术在GaAs研究中的应用被引量：1

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摘要本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体ＧａＡｓ进行的以下几方面研究：生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．

作者唐超群

机构地区华中理工大学物理系

出处《物理》 CAS 北大核心 1989年第2期105-109,共5页 Physics

关键词正电子淹没化合物半导体砷化镓

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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相关文献

同被引文献3

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物理

1989年第2期

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