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低温氧化与超薄介质层的生长及应用

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摘要低温氧化技术是生长１０－３０■任一超薄介质层的关键工艺．本文着重介绍低温氧化生长超薄介质层的物理机理和工艺原理．从超薄介质层在ＭＩＳ（金属－绝缘层－半导体）太阳电池中的应用，可以看出它的存在和作用，也是对低温氧化技术的检验．

作者郭向勇

机构地区南京广播电视大学

出处《物理》 CAS 北大核心 1989年第9期555-558,共4页 Physics

关键词氧化超薄介质层生长太阳电池

分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]

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物理

1989年第9期

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