用稻谷壳制取石墨碳化硅涂层及碳硅化合物

本发明的目的是提供一种用稻壳制取石墨SiC涂层,同时产生β—SiC晶须、β—SiC细粉的技术。 所用原料为稻壳。先将稻壳作焦化处理(或用发电厂烧过的焦稻壳)。焦化处理温度为600～650℃,时间1～1.5小时,温度不得超过700℃,以防稻壳焦化后。