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气相结晶技术模型在合成氟化氢铵工艺中的应用 被引量:4

Application of Vapor Crystallization Model to Synthesis of Ammonium Bifluoride
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摘要 研究了氟化氢铵气相合成新工艺,应用气相结晶理论验证了气相结晶过程,拟合得到了适合于该过程的气相结晶模型,确定了颗粒平均粒径和流体流速之间的关系。并通过实验来验证了该气相结晶技术模型的正确性。通过实验确定了优化反应条件:反应温度为250℃,冷却器温度控制在80℃,反应物进料配比为NH3∶HF=0.75∶2,氨气流量为0.04m3 h载气流量为0.6m3 h。氟化氢铵含量达99.5%。 A new synthesis technology of ammonium bifluoride by chemical vapor deposition(CVD) was studied. The vapor crystallization theory was applied to the crystallization process, and the vapor crystallization model was simulated. The relation between the average granule diameter and fluid velocity was obtained. The validity of the vapor crystallization model was confirmed by experiments. The optimum reaction conditions were: reaction temperature 250℃; condenser temperature 80℃; ratio of NH_3 to HF, 0.75∶2; flow rates of ammonia and carrier gas, 0.04 and 0.6 m^3/h. The purity of the product reached 99.5%.
作者 吴军 李勇
出处 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期269-272,共4页 Chemical World
关键词 氟化氢铵 气相结晶模型 化学气相沉积 ammonium bifluoride vapor crystallization model chemical vapor deposition
  • 相关文献

参考文献12

二级参考文献3

共引文献32

同被引文献30

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引证文献4

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