摘要
介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。
How to use the measured effective diffusion length and scanner illumination condition to demonstrate photolithography line width uniformity is introduced. The impact of the effective resist diffusion length to the exposure latitude and MEF(mask error factor) for the 0.13μm photolithography and beyond is presented.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期39-42,59,共5页
Semiconductor Technology
关键词
等效扩散长度
像对比度
能量裕度
光刻
effective resist diffusion length
image contrast
exposure latitude
photolithography
