期刊文献+

10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器 被引量:1

A 10Gb/s SiGe Limiting Amplifier for Optical Receiver
下载PDF
导出
摘要 给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。 A10Gb/s SiGe limiting amplifier was realized in a 0.5 μm SiGe BiCMOS technology. Under the supply voltage of 5V, the power dissipation is 133.77mW. The input dynamic range is about 31dB at constant output voltage swing (980mVpp).
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期60-62,共3页 Semiconductor Technology
基金 浙江省自然科学基金资助项目(ZD0015)
关键词 光接收机 主放大器 限幅放大器 SIGE BICMOS 工艺 optical receiver main amplifier limiting amplifier SiGe BiCMOS technology
  • 相关文献

参考文献5

  • 1WANG Z G,BERROTH M,HURMV,et al.17GHz-Bandwidth 17dB-Gain 0.3μm-HEMT low-power limiting amplifier[A]. Symp on VLSI Circuits Digest[C]. Kyoto,Japan, 1995. 97-98.
  • 2NAGANO N, SUZAKI T,SODA M, et al. Al-GaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor IC's for optical transmission systems[J].IEICE Trans Electron,1993,E76-C(6): 883-890.
  • 3TAO R, WANG Z G, XIE T T, et al. A CMOS limiting amplifier for SDH STM-16 optical receiver [J]. Electronics Letter,2001,37:236-237.
  • 4NEUHAUSER M, REIN H M, WERNZ H. Lownoise, high-gain Si-bipolar preamplifiers for 10 Gb/s optical-fiberlinks- design and realization[J]. IEEE J Solid-State Circuits, 1996,31(1):24-29.
  • 5MASUDA T, OHHATA K, IMAI K, et al. A wide dynamic range high transimpedance Si bipolar preamplifier IC for 10-Gb/s optical fiber links[J]. IEEE J Solid-State Circuits, 1999,34(1): 18-24.

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部