摘要
给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。
A10Gb/s SiGe limiting amplifier was realized in a 0.5 μm SiGe BiCMOS technology. Under the supply voltage of 5V, the power dissipation is 133.77mW. The input dynamic range is about 31dB at constant output voltage swing (980mVpp).
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期60-62,共3页
Semiconductor Technology
基金
浙江省自然科学基金资助项目(ZD0015)