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低温下水汽在Si(111)7×7表面上的化学吸附

CHEMISORPTION OF H_2O ON Si(111)7×7 SURFACE AT LOW TEMPERATURES
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摘要 用ELS和XPS研究了低温下水汽在Si(111)7×7表面上的化学吸附及其随退火温度的变化。150K低温下水以解离形式吸附在Si(111)7×7表面。 The chemisorption of water vapor on Si(III)7 × 7 surface at low temperatures and the effect of annealing were studied, with X-ray photoelectron spectroscopy and energy loss spectroscopy. It was found that the water molecules taken up on the Si(III)7×7 surface were dissociative at 150 K.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期296-300,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献2

  • 1董国胜,物理学报,1987年,36卷,495页
  • 2曹培林,半导体学报,1986年,4卷,617页

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