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英飞凌推出最小的非易失性闪存单元

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摘要 英飞凌科技公司(Infineon)的专家已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。
出处 《中国集成电路》 2005年第2期12-12,共1页 China lntegrated Circuit

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