有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析

Comparison and analysis of the strains in quantum dots and dislocation quantum dots

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摘要阐述了量子点内能级结构与应变的关系,用ANSYS7.1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下InAs/GaAs量子点的应变分布,通过对计算结果的比较,讨论了两种情况下不同的应变分布对量子点电子结构影响的不同结果,指出有缺陷时量子点各能级的改变量都与无缺陷时不同,无缺陷时应变的作用只是使能级平行移动;有缺陷时,缺陷将使量子点内能级结构复杂化,有缺陷时发光波长和发光光谱都比无缺陷时复杂.

作者杨红波俞重远刘玉敏黄永箴

机构地区北京邮电大学理学院中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

出处《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期46-49,共4页 Chinese High Technology Letters

基金国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点实验室基金

关键词应变分布量子点无缺陷 INAS/GAAS 能级结构计算结果结构影响平行移动发光光谱发光波长改变量复杂化电子

分类号 O471.1 [理学—半导体物理] TU377.9 [建筑科学—结构工程]

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