用N激励分子形成栅绝缘层,得到低漏电流、低电源电压、高速CMOS管
出处
《电子设计应用》
2005年第7期55-55,共1页
Electronic Design & Application World
-
1日本一研究机构将ZnO类紫外LED功率提高至100MW[J].功能材料信息,2011,8(3):62-62.
-
2孙再吉.日本东北大学开发异性器件系统集成技术[J].半导体信息,2009(4).
-
3量子级联半导体激光器[J].光机电信息,2003(10):37-37.
-
4罗姆刷新非极性激光器的振荡波长记录[J].光机电信息,2007,24(11):74-74.
-
5日本东北大学研制出超软LCD[J].新材料产业,2017,0(1):79-79.
-
6日本将ZnO类紫外LED功率提高至100μW[J].现代材料动态,2010(9):25-25.
-
7日本东北大学开发10μm间距封装的各向异性导电膜[J].国际电子变压器,2008(12):88-88.
-
8新技术[J].电力建设,2004,25(9):75-75.
-
9胡云杰.DIY八木天线[J].现代通信,2016,0(4):29-34.
-
10杨晓婵(摘译).日本东北大学等发现Sn—Te半导体是一种新型绝缘体[J].现代材料动态,2013(4):2-3.