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光刻永恒

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摘要 由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。
作者 程天风
机构地区 ASML China
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期23-27,共5页 Semiconductor Technology
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Jan Mulkens, et al. Immersion Lithography Exposure Systems:Current Capability and Tomorrows Expectations, SPIE 2005.
  • 2Harry Sewell, et al. 32nm Node Technology Development Using Interference Immersion Lithography, SPIE 2005.
  • 3Carsten Kohler, et al. Imaging Enhancement by Polarized Illumination: Theory and Experimental Verification, SPIE2005.

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