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非有意掺杂LECSIGaAs中的补偿受主

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作者杨瑞霞贾晓华

出处《电子与自动化仪表信息》 1994年第1期21-23,26,共4页

关键词非有意掺杂绝缘试验

分类号 TM855 [电气工程—高电压与绝缘技术]

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电子与自动化仪表信息

1994年第1期

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