ULSI用高性能光刻胶

北京化学试剂研究所研制出的193nm光刻胶样品已通过美国SEMATECH实验室12英寸硅片的光刻胶应用测试，分辩率达到0.1μm水平，电子束化学增幅抗蚀剂通过中日电子科技集团十三所研究所的电子束制版和CaAs片光刻测试，分辩率达到0.1μm水平，该所下一步将该科研成果进行应用性研究，使其尽快实现产业化，以满足0．1～0．13μm超大规模集成电路制作的要求。