基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法

该专利是一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法。其特征是：采用掺杂锗的二氧化硅基片，利用集成电路工艺在SiO2基片上镀制一层掩模薄膜，并进行光刻，用腐蚀工艺制作出波导布拉格光栅的掩模图形，再利用紫外光源在二氧化硅基片表面上照射，使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化，从而制作出波导布拉格光栅。