期刊文献+

光刻工艺中缺陷来源的分析 被引量:7

Analysis on Defect Sources in Photolithographic Process
下载PDF
导出
摘要 针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。 According to the fabrication process of semiconductor IC and devices, the sorts and sources of the different defect generation in photolithographic process are integrally analyzed, and the measures to reduce or eliminate these defects are proposed.
出处 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期229-231,共3页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 光刻 缺陷 措施 photolithography defect measure
  • 相关文献

同被引文献65

引证文献7

二级引证文献8

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部