摘要
针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。
According to the fabrication process of semiconductor IC and devices, the sorts and sources of the different defect generation in photolithographic process are integrally analyzed, and the measures to reduce or eliminate these defects are proposed.
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期229-231,共3页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
光刻
缺陷
措施
photolithography
defect
measure