功率场效应晶体管MOSFET(三)

Power Field Effect Transistor MOSFET(3)

MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层（O)利用电场的效应来控制半导体(S)。FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的名字也由此而来。然而HEXFET中的栅极并不是金属做的，而是用多晶硅(polysilicon)来做栅极，这也就是图中所注明的硅栅极(silicon gate)。IR在1978年时是用金属做栅极的，1979年的GEN-1 HEXFET是世界上第一个采用多晶硅栅极的多原胞型功率MOSFET。