名词术语释义——高k材料

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摘要在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏。在90nm工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。虽然采用SOI可以有效隔断各电极向衬底流动的漏电流，使其只能够通过晶体管流动，但它对于同级晶体管之间的阻隔效果并不理想；继续用二氧化硅做为晶体管绝缘层也是不可取的。用高k值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，

出处《微纳电子技术》 CAS 2005年第7期317-317,共1页 Micronanoelectronic Technology

关键词高K材料术语释义名词 90nm工艺晶体管氧化物材料电流泄漏泄漏现象二氧化硅漏电流 SOI 绝缘层流动衬底栅极

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TS871.1 [轻工技术与工程]

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