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Crolles2联盟开发的超高密度SRAM单元：采用45纳米低功率普通CMOS体效应技术

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摘要 Crolles2联盟日前宣读一篇有关在正常制造条件下来用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0．25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。

出处《电子与电脑》 2005年第7期145-145,共1页 Compotech

关键词 CMOS SRAM单元体效应超高密度技术纳米联盟低功率开发设计规则解决方案晶体管尺寸比制造

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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电子与电脑

2005年第7期

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