600　MHz　150W硅脉冲功率晶体管被引量：3

A 600MHz150W Silicon Bipolar Pulsed Power Transistor

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摘要６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...

作者王因生陈正东张树丹谭卫东郑承志刘六亭康小虎周德红陈统华

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期193-193,共1页 Research & Progress of SSE

关键词功率晶体管硅脉冲

分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]

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同被引文献9

1张树丹,李相光,林川,傅义珠,姚长军.S波段硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):7-14. 被引量：4
2王因生,林川,王佃利,王志楠,张树丹,黄仲平,康小虎,钟志新.L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1997,17(2):114-120. 被引量：5
3王因生，IEEE Electron Dev Lett，1990年，11卷，5期，187页
4王阳元，多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用，1988年，135页
5Li Ping，IEEE MTT-s Digest，1996年，103页
6王因生，IEEE Electron Device Lett，1990年，11卷，4期，187页
7王因生，半导体学报
8王因生,林金庭,张树丹.硅微波功率器件二次发射极镇流研究[J].Journal of Semiconductors,1997,18(12):912-915. 被引量：3
9王因生,盛文伟,张晓明,王晓雯.低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管[J].Journal of Semiconductors,1991,12(1):37-44. 被引量：2

引证文献3

1王因生,林金庭,张树丹.硅微波功率器件二次发射极镇流研究[J].Journal of Semiconductors,1997,18(12):912-915. 被引量：3
2王因生,单宁,王佃利,林川,张树丹,康小虎,林金庭.P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1998,18(1):15-19. 被引量：1
3傅义珠,李相光,张树丹,王佃利,王因生,康小虎,姚长军.S波段100W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2000,20(2):123-127. 被引量：2

二级引证文献5

1王因生,李相光,傅义珠,王佃利,丁晓明,盛国兴,康小虎.1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管[J].Journal of Semiconductors,2008,29(5):965-969. 被引量：6
2王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德圣.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J].固体电子学研究与进展,2012,32(4):356-360. 被引量：1
3傅义珠,李相光,张树丹,王佃利,王因生,康小虎,姚长军.S波段100W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2000,20(2):123-127. 被引量：2
4潘宏菽,朱石平,李明月,吕仲志,张颖秋,周名辉,崔现锋.3.5GHz 65W硅脉冲大功率晶体管研制[J].半导体技术,2001,26(11):49-52. 被引量：3
5蔡勇,张利春,高玉芝,叶红飞1北京大学微电子学研究所,金海岩,张树丹.微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计[J].Journal of Semiconductors,2003,24(2):209-215. 被引量：5

1谭卫东,张纪生,熊承堃,王因生,张树丹,刘六亭,郑承志,陈统华,陈正东.L波段100W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1993,13(2):184-184.
2谭卫东,张纪生,王志楠,张树丹,王因生,郑承志,刘六亭,康小虎.L波段150W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1994,14(3):288-288.
3张树丹,李相光,林川,付义珠,姚长军,康小虎.S波段硅脉冲功率晶体管[J].电子器件,1997,20(1):1-5.
4傅义珠,李相光,张树丹,王佃利,王因生,康小虎,姚长军.S波段100W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2000,20(2):123-127. 被引量：2
5张树丹,李相光,林川,傅义珠,姚长军.S波段硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):7-14. 被引量：4
6傅义珠,李学坤,戴学梅,王佃利,王因生,周德红,康小虎,梅海,盛国兴,陈刚.2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2003,23(1):133-133.
7吴鹏,林川,傅义珠,盛国兴,戴学梅,康小虎,王因生.2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2006,26(2).
8傅义珠,李相光,戴学梅,盛国兴,王因生,王佃利.3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):140-140. 被引量：1
9傅义珠,张树丹,高雷,姚长军.2GHz 100W硅脉冲功率晶体管[J].世界产品与技术,2002(2):20-21.
10赵普社,王因生,李相光,傅义珠.4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2007,27(2).

固体电子学研究与进展

1994年第2期

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