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非晶硅碳薄膜发光二极管的研究现状及趋势 被引量:1

Present and Future of Amorphous Silicon Carbide Thin Film Light-Emitting Diode
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摘要 扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管(α-SiCx:HTFLED)及其研究现状,简单地阐述了当前存在的问题,详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗,并预期着其有潜在的应用前景。 The paper briefly describes the present research and existent problems of the amorphous silicon carbide thin film visible light-emitting diode(α-SiCx:H TFLED).Also the paper gives a detailed discussions on its future developments.such as further improvement of luminosity,multi-color display,larger area and lower heating,and predicts its potential applications.
作者 周亚训
机构地区 宁波大学物理系
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期214-220,共7页 Research & Progress of SSE
关键词 非晶硅碳 发光二极管 发光亮度 Amorphous Silicon Carbide Light-Emitting Diode Luminosity
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