L波段150W硅脉冲功率晶体管

An 150 W L-Band Silicon Bipolar Pulsed Power Transistor

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摘要Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...

作者谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期288-288,共1页 Research & Progress of SSE

关键词 L波段硅脉冲功率晶体管

分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]

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固体电子学研究与进展

1994年第3期

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