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测量散射参数的交互换位双信号方法及其应用

The Interchanged“Two-Signal”Method of Measuring Scattering Parameters and Its Application
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摘要 叙述了外内向功率波复数比的测量方法,给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅GaAsMESFET适用散射参数,并用它设计S波段混合集成双栅GaAsMESFET可控增益放大器。测试结果与设计吻合。 This article describes a method of measuring the complex ratio of return power waves to incident power waves,and presents the interchanged 'two-signal' method of measuring the scattering parameters by slotted line.The measured applicable scattering parameters of dual-gate GaAs MESFET by this method are used to design S-band variable gain amplifiers. The measured results of the variable gain amplifier agree well with the designed ones.
作者 叶禹康
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期272-276,共5页 Research & Progress of SSE
关键词 散射参数 双栅 场效应晶体管 GAAS Scattering Parameters Measurement,Dual-Gate GaAs MESFET,Variable Gain Amplifier
  • 相关文献

参考文献2

  • 1范光泉,张观强.测试大信号S参数的“测量线”法[J]电子学报,1987(04).
  • 2鲍家善.微波原理[M]高等教育出版社,1965.

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