摘要
报道了我们在高亮度 GaAlAs 红色发光管方面的最新成果。在一套完整的液相外延工艺基础上,我们采用一种新型的石墨舟结构,通过适当地选择掺杂源,有效地控制了各层的铝组分,并且明显地改善了结晶质量,研制出了波长为670 nm,在 I=20 mA 室温条件下,光输出约30 mcd 的 GaAlAs/GaAs 双异质结发光管管芯。
The recent progress on high bright GaAlAs red LED is reported.On the bases of the perfect LPE technology,by using a new kind of graphite boat,and choosing the proper catalyst,the density of aluminum of each layer is effectively controlled,and the quality of crystal is obviously improved.A chip of GaAlAs/GaAs DH LED is made,with the wavelength of 670nm,optical output 30 mcd when I=20 mA.
出处
《光电子技术》
CAS
1994年第1期68-72,共5页
Optoelectronic Technology
关键词
高亮度
双异质结
发光管
液相外延
high bright
double heterojunction
light-emitting diode
liquid phase epitaxy technology