α-Si TFT的C-V特性研究

Study of C-V Characteristics for a-Si TFT

下载PDF

导出

摘要通过对 a-Si TFT 的基本工作特性的分析,提出了一种直观的 a-SiTFT 器件模型。基于此模型,采用一种新的方法对 a-Si TFT 的 C-V 特性进行了全面分析。模拟结果与实际测得 a-Si TFT 的 C-V 特性曲线变化趋势一致。 The basic features of-Si TFT are analyzed.A visualized model of-Si TFT is presented.Based on this model,a novel analytical method is used to discuss the- Si TFT's C-V characteristics.The simulation results of C-V characteristics well agreed with the measurement results by M.Shur,et al.

作者屈惠明

机构地区南京电子器件研究所

出处《光电子技术》 CAS 1994年第2期132-137,共6页 Optoelectronic Technology

关键词 TFT模型 C-V特性 TFT-LCD α-Si TFT model C-V characteristics simulation

分类号 TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]

引文网络
相关文献

1汪锐.基于MATLAB的TFT模型参数提取[J].现代显示,2013(3):27-31.
2采用a—SiTFT的高分辨率6英寸LCD[J].发光快报,1993,14(1):30-34.
3邓婉玲,郑学仁.多晶硅TFT模型的研究进展[J].半导体技术,2007,32(6):466-469.
4熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军,莫希朝,李德林,赵庚申,徐温元.高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si　TFT[J].Journal of Semiconductors,1994,15(2):130-135. 被引量：7
5徐重阳,刘瑞林,邹雪城.激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)[J].液晶通讯,1994,2(1):30-33. 被引量：3
6钟伯强,王文生.用于液晶显示的a—SiTFT和p—SiTFT[J].上海硅酸盐,1992(4):224-226.
7Miyata,邢维政.a-Si TFT寻址LCD的动态特性[J].光电子技术,1990,10(2):62-68.
8熊绍珍,张建军,周祯华,孟志国,戴永平,谷纯芝,马京涛,丁世斌,赵庚申.a—Si　TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究[J].材料研究学报,1994,8(3):257-262. 被引量：2
9采用1.5＊10^6个象素a—SiTFT LC模件的高...[J].发光快报,1992,13(1):42-45.
10孟志国,代永平,周祯华,张建军,姚仑,谷纯芝,李俊峰,吴春亚,熊绍珍,赵颖,王丽莉,徐温元,袁庆鹏,黄宇,李树山,莫希朝,马京涛,王德申,孙钟林,李庆诚,马锦,耿卫东,李德林,李红玉,赵晶,雷宗保,徐寿颐,张百哲,张伟.α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展[J].液晶与显示,1996,11(4):268-285.

光电子技术

1994年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

α-Si TFT的C-V特性研究

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史