摘要
本文阐述了 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)的设计考虑,包括:PtSi 肖特基势垒探测器(PtSi-SBD)结构的优化,填充系数与 CCD 电荷处理容量之间的匹配,提高 CCD 电荷转移效率。
The design consideration of PtSi Schottky-barrier infrared CCD(PtSi- SBIRCCD)is expounded.The design involves optimization of PtSi Schottky-barrier detec- tor(PtSi-SBD)structure,tradeoff between the fill factor and the charge handling capacity of CCD and improvement of CCD transfer efficiency.
出处
《光电子技术》
CAS
1994年第4期288-295,共8页
Optoelectronic Technology
关键词
红外热成像
肖特基势垒
探测器
电荷耦合器件
infrared CCD
Schottky-barrier detector
optical cavity
fill factor
transfer efficiency
