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高-低温溶液晶体生长溶质边界层的全息研究 被引量:5

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摘要 用全息相衬干涉显微术研究了高温溶液生长KTP晶体和低温溶液生长KDP晶体的溶质边界层。实验表明,无论是在高温溶液还是在低温溶液中生长晶体,边界层内的质量输运过程是对流和扩散两种作用的耦合效应。体过饱和度对边界层厚度的影响按过饱和度的高低可分为两个区域。层内溶质浓度分布是位置的指数函数。
出处 《中国科学(A辑)》 CSCD 1994年第12期1327-1332,共6页 Science in China(Series A)
基金 国家自然科学基金
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