摘要
本文描述了电离辐射对硅器件影响的机理。对试验后的数据进行了分析,指出电离辐射对双极电路、MOS电路、CMOS电路的影响结果。
The infection mechanism of ionization radiation for silicon device is described in this paper. The test data is analyzed and the influence of ionization radiation for bipolar circuit, MOS circuit is indicated.
出处
《电子与封装》
2005年第7期23-27,16,共6页
Electronics & Packaging
关键词
电离辐射
MOS电路
双极电路
lonization Radiation MOS Circuit Bipolar Circuit
