Ti-Cl-H-N体系化学气相沉积TiN动力学和机构

本文研究了热壁反应器内沉积参数对 TiN 沉积速度的影响,确定了化学平衡生长、传质限制生长和表面过程限制生长的沉积条件。在表面过程控制范围内,提出了化学气相沉积(CVD)TiN 机构,推导了 TiN 沉积速度方程。用实验证明 HCl 是阻碍剂,它对基体的刻蚀作用可以忽略。获得了添加 HCl 后的 TiN 沉积速度方程,方程计算结果与实验结果一致。