期刊文献+

n+n组合结构半导体丙酮气敏元件研究

Study on n+n combined structure semiconductor acetone gas sensing element
下载PDF
导出
摘要 n+n组合结构半导体气敏元件是基于气敏元件互补反馈原理的一种新结构半导体气敏元件。该元件是由2种传导类型相同的敏感体A和B构成,A和B都是n型半导体材料。理论分析表明当敏感体A和B满足一定条件时,该元件具有高的选择性,同时,还具有好的热稳定性和高的灵敏度。通过试验,获得了性能较好的n+n组合结构丙酮气敏元件。 n+n structure semiconductor gas sensing element based on the compensation-feedback principle is a new type gas sensing element.The sensing element is composed of two sensitive materials A and B whose conductive types are the same.The materials A and B are all n-type materials.The results analyzed from a theoretical viewpoint show that the sensing element has higher selectivity,better thermal-stability and high sensitivity when the materials A and B satisfy certain conditions.Through testing the characteristics of the combined structure semiconductor gas sensing element,the perfect n+n combined structure acetone gas sensing element is fabricated .
出处 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第7期41-43,46,共4页 Journal of Transducer Technology
基金 云南省科技厅中日国际合作项目(95E007)
关键词 气敏元件 n+n组合结构 选择性 热稳定性 灵敏度 丙酮 gas sensing element n+n combined structure selectivity thermo-stability sensitivity acetone
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献14

  • 1吴兴惠,李艳峰,周桢来,田子华.实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法[J].Journal of Semiconductors,1994,15(9):643-649. 被引量:26
  • 2WANG Y D, WU X H, ZHOU Z L. A new type of semiconductor gas sensor based on the N + N combined structure. Sensor and Actuators: B,2001(73) :216 - 220.
  • 3杨爱民,传感技术学报,1991年,4卷,2期,31页
  • 4程英芳,传感技术学报,1990年,3卷,1期,26页
  • 5吴兴惠,黑龙江电子技术,1989年,4卷,1页
  • 6吴兴惠,云南大学学报,1988年,10卷,4期,347页
  • 7吴兴惠
  • 8Xu Chaonan,Sensors and Actuators B,1991年,3卷,147页
  • 9吴兴惠,1989年
  • 10WANG Y D,WU X H,ZHOU Z L.A new type of semiconductor gas sensor based on the N+N combined structure.Sensor and Actuators:B,2001(73):216-220.

共引文献30

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部